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进军DDR5/GDDR6/LPDDR5内存 合肥长鑫计划第三代10nm工艺

千呼万唤始出来,前两天海内DRAM内存终于迎来了历史性一刻——合肥长鑫的DDR4内存终于开始对外供货了。

严格来说,合肥长鑫的内存不是第一款国产DRAM内存芯片,紫光旗下的紫光国微之前也有DDR内存研发,也曾少量用于国产的办事器等产品中,然则紫光国微没有临盆能力,DDR内存无法大年夜量供应。

以是合肥长鑫是首个真正具备量产能力的国产内存,他们现在已经可以供应DDR4内存芯片、DDR4模组及LPDDR4X移动内存,频率可达2666MHz、2666MHz、3733MHz,也是对照主流的水平了。

今朝长鑫临盆的内存芯片应用的照样10G1工艺,也便是10nm级第一代工艺,详细来说是19nm工艺,比拟三星来说后进了两三代水平。

不过长鑫已经在筹划后续的内存新品及工艺了,估计还会有10G3、10G5工艺,今朝详细水平不确定,大年夜概率会是1X、1Y、1Znm工艺的演进,相称于16-19、14-16、12-14的水平,详细看长鑫的能力。

产品方面,除了今朝的DDR4、LPDDR4之外,未来还会有DDR5、LPDDR5、GDDR6等,覆盖桌面、移动及图形三大年夜市场,产品线齐备。

宪瑞

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